昆明四氟化碳-高純四氟化碳-安徽譜純：

四氟化1碳一般認(rèn)為是惰性低毒物質(zhì)，在高濃度下是窒息劑，其毒性不及四氯1化碳。四氯1化碳與氟1化氫的反應(yīng)在填有氫1氧化鉻的高溫鎳管中進(jìn)行，反應(yīng)后的氣體經(jīng)水洗、堿洗除去酸性氣體，再通過(guò)冷凍，用硅膠除去氣體中的水分經(jīng)精餾而得成品。預(yù)先稱(chēng)取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的單質(zhì)硅粉，置于鎳盤(pán)中，使硅和碳化硅充分接觸后，將鎳盤(pán)放入蒙乃爾合金反應(yīng)管中，向反應(yīng)管內(nèi)通入氟氣，氟氣先和單質(zhì)硅反應(yīng)。

反應(yīng)放熱后，氟開(kāi)始和碳化硅進(jìn)行反應(yīng)，通入等體積的干燥氮?dú)庖韵♂尫鷼猓狗磻?yīng)繼續(xù)進(jìn)行，生成氣體通過(guò)液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝，然后慢慢地氣化。四氟化碳有時(shí)會(huì)用作低溫冷卻劑。它可用于電路板的制造，以及制造絕緣物質(zhì)和半導(dǎo)體。它是用作氣體蝕刻劑及等離子體蝕刻版。對(duì)于硅和二氧化硅體系，采用CF4-H2反應(yīng)離子刻蝕時(shí)，通過(guò)調(diào)節(jié)兩種氣體的比例，可以獲得45:1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時(shí)很有用。

四氟化碳的溶氧性很好，因此被科學(xué)家用于超深度潛水實(shí)驗(yàn)代替普通壓縮空氣。目前已在老鼠身上獲得成功，在275米到366米的深度內(nèi)，小白鼠仍可安全脫險(xiǎn)。隨著芯片制程向7納米邁進(jìn)，細(xì)微雜質(zhì)對(duì)芯片的損害更為明顯，電子產(chǎn)業(yè)對(duì)高純電子氣體的純度要求進(jìn)一步提高，在此背景下，我國(guó)高純四氟化碳生產(chǎn)技術(shù)與產(chǎn)品質(zhì)量仍有提升空間。是微電子工業(yè)中用量大的等離子蝕刻氣體，高純氣高純氧的混合氣，可廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢等薄膜材料的蝕刻，在電子器件表面清洗、太陽(yáng)能電池生產(chǎn)、激光技術(shù)、低溫制冷、泄漏檢驗(yàn)、印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。

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