安徽譜純氣體公司(圖)-激光氣廠-濟寧激光氣：

合肥激光氣體,合肥特種氣體,安徽準分子預混氣

不受背景氣體干擾影響

采用TDLAS技術使用的半導體激光的譜寬小于0.0001nm，約為紅外光源譜寬的1/106，激光氣體，遠小于被測氣體吸收譜線的譜寬。其頻率調制掃描范圍也僅包含被測氣體單吸收譜線(半導體激光吸收光譜技術也因此被稱為單線光譜技術)，因此成功消除了背景氣體交叉干擾影響。

不受粉塵和視窗污染干擾

半導體激光的波長可通過調制工作電流而被掃描，使激光波長既掃描過有氣體吸收的區(qū)域，也掃描沒有氣體吸收的區(qū)域。當波長位于吸收區(qū)域時可測得包含氣體、粉塵和視窗的總透光率T1，當波長位于無氣體吸收區(qū)域時可以測得粉塵和視窗透光率T2，從而可以準確獲得被測氣體的透光率Tg= T1/T2。TDLAS技術通過激光波長掃描技術修正了粉塵和視窗污染對測量的影響。

響應速度快，大大降低了系統的維護工作量

避免了氣體在采樣管到中的長時問輸送，半導體激光氣體分析系統可以實現非常快的測量相應速度。采樣預處理系統的維護是傳統采樣方式氣體分析系統維護工作量的主要部分，半導體激光氣體分析系統采用現場方式分析系統，濟寧激光氣，徹底避免了采樣系統，激光氣廠家報價，自動化程度非常高，操作簡單易學，大大降低了系統的維護工作量。

DLAS技術本質上是一種光譜吸收技術，通過分析激光被氣體的選擇性吸收來獲得氣體的濃度。它與傳統紅外光譜吸收技術的不同之處在于，半導體激光遠小于氣體線的展寬。因此，激光氣廠家，DLAS技術是一種高分辨率的光譜吸收技術，半導體激光穿過被測氣體的光強衰減可用朗伯-比爾（Lambert-Beer）定律表述式中，IV，0和IV 分別表示頻率V的激光入射時和經過壓力P，濃度X和光程L的氣體后的光強；S（T）表示氣體吸收譜線的強度；線性函數g（v-v0）表征該吸收譜線的形狀。通常情況下氣體的吸收較小，可用式（4-2）來近似表達氣體的吸收。這些關系式表明氣體濃度越高，對光的衰減也越大。因此，可通過測量氣體對激光的衰減來測量氣體的濃度。

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