四氟化碳的用途與作用 :
四氟化碳是可作為氟和自由基氟化碳的來源,用于各種晶片蝕刻工藝。四氟化碳和氧結(jié)合用以蝕刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。四氟化碳在通常環(huán)境下是相對(duì)惰性的,在不通風(fēng)的地方會(huì)引起窒息。在射頻等離子體環(huán)境中,氟自由基表現(xiàn)為典型的三氟化碳或二氟化碳的形式。高純度的四氟化碳能很好的控制加工過程,使尺寸和形狀得到更好的控制,這不同于其他的鹵烴遇到空氣或氧氣時(shí)不利于各種特殊的控制(如半導(dǎo)體各項(xiàng)異性控制)。





由碳與氟反應(yīng),或一氧4化碳與氟反應(yīng),或碳化硅與氟反應(yīng),或氟石與石油焦在電爐里反應(yīng),或二氟二氯甲4烷與氟4化氫反應(yīng),或四氯4化碳與氟化銀反應(yīng),或四氯4化碳與氟化4氫反應(yīng),都能生成四氟化碳。在電子器件表面清洗、太陽能電池的生產(chǎn)、激光技術(shù)、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗(yàn)劑、控制宇宙火箭姿態(tài)、印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。對(duì)于硅和二氧化硅體系,采用CF4-O2反應(yīng)離子刻蝕時(shí),通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例,可以獲得45:1的選擇性,這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時(shí)很有用。
由碳與氟反應(yīng),或與氟反應(yīng),或碳化硅與氟反應(yīng),或氟石與石油焦在電爐里反應(yīng),都能生成四氟化碳。儲(chǔ)存注意事項(xiàng):儲(chǔ)存于陰涼、通風(fēng)的不燃?xì)怏w庫房。遠(yuǎn)離火種、熱源。庫溫不宜超過30℃。應(yīng)與易(可)燃物、氧化劑分開存放,切忌混儲(chǔ)。儲(chǔ)區(qū)應(yīng)備有泄漏應(yīng)急處理設(shè)備。在填有氫氧化鉻的高溫鎳管中進(jìn)行,反應(yīng)后的氣體經(jīng)水洗、堿洗除去酸性氣體,再通過冷凍,用硅膠除去氣體中的水分,經(jīng)精餾而得成品。

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