在電子器件表面清洗、太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)、激光技術(shù)、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗(yàn)劑、控制宇宙火箭姿態(tài)、印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。因?yàn)閷?dǎo)致臭氧層破壞的是氟氯烴中的氯原子,它被紫外線輻射擊中時(shí)會(huì)分離。碳-氟鍵比較強(qiáng),因此分離的可能性比較低。反應(yīng)放熱后,氟開始和碳化硅進(jìn)行反應(yīng),通入等體積的干燥氮?dú)庖韵♂尫鷼猓狗磻?yīng)繼續(xù)進(jìn)行,生成氣體通過(guò)液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝,然后慢慢地氣化。





它在大氣中的壽命約為50,000年,全球增溫(全球暖化)系數(shù)是6,500(二氧化碳的系數(shù)是1)。雖然結(jié)構(gòu)與氟氯烴相似,但四氟化碳不會(huì)破壞臭氧層。四氟化碳是目前微電子工業(yè)中用量大的等離子蝕刻氣體,其高純氣及四氟化碳高純氣配高純氧氣的混合體,可廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的蝕刻。預(yù)先稱取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的單質(zhì)硅粉,置于鎳盤中,使硅和碳化硅充分接觸后,將鎳盤放入蒙乃爾合金反應(yīng)管中,向反應(yīng)管內(nèi)通入氟氣,氟氣先和單質(zhì)硅反應(yīng)。
在填有氫氧化鉻的高溫鎳管中進(jìn)行,反應(yīng)后的氣體經(jīng)水洗、堿洗除去酸性氣體,再通過(guò)冷凍,用硅膠除去氣體中的水分,后經(jīng)精餾而得成品。四氟化碳貯存注意事項(xiàng):氣瓶不得靠近火源,不得受日光曝曬,與明火距離一般應(yīng)該不小于10米,氣瓶不得撞擊。氣瓶的瓶子嚴(yán)禁沾染油脂。以活性炭與氟為原料經(jīng)氟化反應(yīng)制備。在裝有活性炭的反應(yīng)爐中,緩緩?fù)ㄈ敫邼夥鷼猓⑼ㄟ^(guò)加熱器加熱、供氟速率和反應(yīng)爐冷卻控制反應(yīng)溫度。

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