對于硅和二氧化硅體系,采用CF4-O2反應(yīng)離子刻蝕時(shí),通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例,可以獲得45:1的選擇性,這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時(shí)很有用。四氟化碳在不同的大氣壓下呈現(xiàn)的狀態(tài)是不同的,就像氧氣在101kPa時(shí)會呈現(xiàn)出液態(tài)。四氟化碳是無色、無臭、不燃的可壓縮性氣體,發(fā)揮性較高.預(yù)先稱取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的單質(zhì)硅粉,置于鎳盤中,使硅和碳化硅充分接觸后,將鎳盤放入蒙乃爾合金反應(yīng)管中,向反應(yīng)管內(nèi)通入氟氣,氟氣先和單質(zhì)硅反應(yīng)。





四氟化碳(CF4)在電離后會產(chǎn)生含成分的刻蝕性氣相等離子體,能夠?qū)Ω鞣N有機(jī)表面實(shí)現(xiàn)刻蝕及有機(jī)物去除,在晶圓制造、線路板制造、太陽能電池板制造等行業(yè)中被廣泛應(yīng)用。以活性炭與氟為原料經(jīng)氟化反應(yīng)制備。在裝有活性炭的反應(yīng)爐中,緩緩?fù)ㄈ敫邼夥鷼猓⑼ㄟ^加熱器加熱、供氟速率和反應(yīng)爐冷卻控制反應(yīng)溫度。四氟化碳是一種鹵代烴,化學(xué)式CF4。它既可以被視為一種鹵代烴、全氟化碳,也可以被視為一種無機(jī)化合物。零下198 °C時(shí),四氟化碳具有單斜的結(jié)構(gòu),晶格常數(shù)為a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1?nm), β = 118.73° 。

四氟化碳是一種鹵代烴,化學(xué)式CF4。它既可以被視為一種鹵代烴、全氟化碳,也可以被視為一種無機(jī)化合物。零下198 °C時(shí),四氟化碳具有單斜的結(jié)構(gòu),晶格常數(shù)為a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1?nm), β = 118.73° 。隨著手機(jī)、相機(jī)、太陽能電池等消費(fèi)電子產(chǎn)品的需求量不斷攀升,高純度四氟化碳將成為四氟化碳行業(yè)的主要增長動力。在全球范圍內(nèi),高純度四氟化碳應(yīng)用于歐洲、亞太地區(qū)、北美、中東、非洲和南美洲等地區(qū),受電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展程度不同影響,對于高純度四氟化碳的需求也不同,亞洲地區(qū)由于電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展落后,近幾年電子電器行業(yè)處于快速發(fā)展?fàn)顟B(tài),因此使得該地區(qū)的高純度四氟化碳消費(fèi)量持續(xù)攀升。

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