在電子器件表面清洗、太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)、激光技術(shù)、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗(yàn)劑、控制宇宙火箭姿態(tài)、印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。因?yàn)閷?dǎo)致臭氧層破壞的是氟氯烴中的氯原子,它被紫外線輻射擊中時(shí)會(huì)分離。碳-氟鍵比較強(qiáng),因此分離的可能性比較低。反應(yīng)放熱后,氟開(kāi)始和碳化硅進(jìn)行反應(yīng),通入等體積的干燥氮?dú)庖韵♂尫鷼猓狗磻?yīng)繼續(xù)進(jìn)行,生成氣體通過(guò)液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝,然后慢慢地氣化。





含鎂大于2%的合金不能用。在高溫,一些金屬起加速CF4分解的催化作用。按其催化作用增長(zhǎng)的次序由小到大地排列則如下:因科鎳合金、奧氏體不銹鋼、鎳、鋼、鋁、銅、青銅、黃銅、銀。四氟化1碳是目前微電子工業(yè)中用量大的等離子蝕刻氣體,其高純氣及四氟化1碳高純氣配高純氧氣的混合體,可廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的蝕刻。將其通過(guò)裝有氫1氧化鈉溶液的洗氣瓶除去四氟1化硅,隨后通過(guò)硅膠和五氧1化二磷干燥塔得到終產(chǎn)品。由于化學(xué)穩(wěn)定性極強(qiáng),CF4還可以用于金屬冶煉和塑料行業(yè)等。
由碳與氟反應(yīng),或與氟反應(yīng),或碳化硅與氟反應(yīng),或氟石與石油焦在電爐里反應(yīng),都能生成四氟化碳。儲(chǔ)存注意事項(xiàng):儲(chǔ)存于陰涼、通風(fēng)的不燃?xì)怏w庫(kù)房。遠(yuǎn)離火種、熱源。庫(kù)溫不宜超過(guò)30℃。應(yīng)與易(可)燃物、氧化劑分開(kāi)存放,切忌混儲(chǔ)。儲(chǔ)區(qū)應(yīng)備有泄漏應(yīng)急處理設(shè)備。在填有氫氧化鉻的高溫鎳管中進(jìn)行,反應(yīng)后的氣體經(jīng)水洗、堿洗除去酸性氣體,再通過(guò)冷凍,用硅膠除去氣體中的水分,經(jīng)精餾而得成品。

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