對于硅和二氧化硅體系,采用CF4-O2反應(yīng)離子刻蝕時,通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例,可以獲得45:1的選擇性,這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。四氟化碳的熱穩(wěn)定性更好。化合物的熱穩(wěn)定性主要與化學鍵的鍵能及鍵長有關(guān)。零下198 °C時,四氟化碳具有單斜的結(jié)構(gòu),晶格常數(shù)為a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1 nm), β = 118.73° 。四氟化碳是可作為氟和自由基氟化碳的來源,用于各種晶片蝕刻工藝。四氟化碳和氧結(jié)合用以蝕刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。





常溫常壓下穩(wěn)定,避免強氧化劑、可燃物。不燃氣體,遇高熱后容器內(nèi)壓增大,有開裂、炸危險。化學性質(zhì)穩(wěn)定,不燃。常溫下只有液氨-試劑能發(fā)生作用。四氟化碳貯存注意事項:氣瓶使用和檢驗遵照《氣瓶安全監(jiān)察規(guī)程》的規(guī)定。氣瓶內(nèi)的氣體不能全部用盡,應(yīng)該留不小于0.04MPa剩余壓力。隨著手機、相機、太陽能電池等消費電子產(chǎn)品的需求量不斷攀升,高純度四氟化碳將成為四氟化碳行業(yè)的主要增長動力。

電子四氟化碳是目前半導體行業(yè)主要的等離子體蝕刻氣體之一,在硅、二氧化硅、金屬硅化物以及某些金屬的蝕刻,以及低溫制冷、電子器件表面清洗等方面被廣泛應(yīng)用。而電子特氣系統(tǒng)為它保駕護航,保證四氟化碳(CF4)的純度和安全穩(wěn)定使用。在填有氫氧化鉻的高溫鎳管中進行,反應(yīng)后的氣體經(jīng)水洗、堿洗除去酸性氣體,再通過冷凍,用硅膠除去氣體中的水分,經(jīng)精餾而得成品。由碳與氟反應(yīng),或與氟反應(yīng),或碳化硅與氟反應(yīng),或氟石與石油焦在電爐里反應(yīng),都能生成四氟化碳。

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