由碳與氟反應(yīng),或一氧1化碳與氟反應(yīng),或碳化硅與氟反應(yīng),或氟石與石油焦在電爐里反應(yīng),或二氟二氯甲1烷與氟化1氫反應(yīng),或四氯化1碳與氟化銀反應(yīng),或四氯1化碳與氟化1氫反應(yīng),都能生成四氟化1碳。吸入四氟1化碳的后果與濃度有關(guān),包括頭1痛、惡心、頭昏眼花及心1血管系統(tǒng)的破壞(主要是心臟)。長時間接觸會導(dǎo)致嚴(yán)重的心臟破壞。對于硅和二氧化硅體系,采用CF4-O2反應(yīng)離子刻蝕時,通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例,可以獲得45:1的選擇性,這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。





四氟化碳也一樣,比如我們公司生產(chǎn)的鋼瓶裝四氟化碳在14MPA的氣壓下也是液態(tài)的,在正常大氣壓下就是氣態(tài)的,四氟化碳是有一定毒性的應(yīng)該不能用作呼吸。四氟化碳在不同的大氣壓下呈現(xiàn)的狀態(tài)是不同的,就像氧氣在101kPa時會呈現(xiàn)出液態(tài)。四氟化碳是無色、無臭、不燃的可壓縮性氣體,發(fā)揮性較高.四氟化碳是可作為氟和自由基氟化碳的來源,用于各種晶片蝕刻工藝。四氟化碳和氧結(jié)合用以蝕刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。
高純四氟化碳主要用于集成電路、半導(dǎo)體的等離子刻蝕領(lǐng)域,可用來蝕刻硅、二氧化硅、氮化硅等硅材料,是用量大的等離子蝕刻氣體。此外,高純四氟化碳還可用于印刷電路板清潔、電子元器件清洗、太陽能電池生產(chǎn)等領(lǐng)域。四氟化碳用于各種集成電路的等離子刻蝕工藝,也用作激光氣體,用于低溫制冷劑、溶劑、潤滑劑、絕緣材料、紅外檢波管的冷卻劑。四氟化碳用作低溫制冷劑及集成電路的等離子干法蝕刻技術(shù)。生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝,然后慢慢地氣化后,隨后通過硅膠干燥塔得到產(chǎn)品。

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