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對于硅和二氧化硅體系，采用CF4-O2反應離子刻蝕時，通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例，可以獲得45：1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。四氟化碳的熱穩(wěn)定性更好。化合物的熱穩(wěn)定性主要與化學鍵的鍵能及鍵長有關。零下198 °C時，四氟化碳具有單斜的結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)為a = 8.597， b= 4.433，包頭四氟化碳， c = 8.381 (.10-1 nm)， β = 118.73° 。四氟化碳是可作為氟和自由基氟化碳的來源，用于各種晶片蝕刻工藝。四氟化碳和氧結(jié)合用以蝕刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。

由碳與氟反應，四氟化碳報價，或一氧1化碳與氟反應，或碳化硅與氟反應，或氟石與石油焦在電爐里反應，或二氟二氯甲1烷與氟化1氫反應，或四氯化1碳與氟化銀反應，或四氯1化碳與氟化1氫反應，都能生成四氟化1碳。吸入四氟1化碳的后果與濃度有關，包括頭1痛、惡心、頭昏眼花及心1血管系統(tǒng)的破壞(主要是心臟)。長時間接觸會導致嚴重的心臟破壞。對于硅和二氧化硅體系，采用CF4-O2反應離子刻蝕時，通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例，高純四氟化碳，可以獲得45：1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。

四氟化碳是可作為氟和自由基氟化碳的來源，用于各種晶片蝕刻工藝。四氟化碳和氧結(jié)合用以蝕刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。因為導致臭氧層破壞的是氟氯烴中的氯原子，四氟化碳價格，它被紫外線輻射擊中時會分離。碳-氟鍵比較強，因此分離的可能性比較低。四氟化碳在900℃時，不與銅、鎳、鎢、鉬反應，僅在碳弧溫度下緩慢分解，微溶于水，在25℃及0.1Mpa下其溶解度為0.0015％（重量比），然而與可燃性氣體燃燒時，會分解產(chǎn)生有毒氟化物。

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